據(jù)悉，知名半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)江波龍已與頭部客戶聯(lián)合開展SOCAMM開發(fā)工作，相關(guān)產(chǎn)品已成功點(diǎn)亮。從客戶點(diǎn)亮的時(shí)間節(jié)點(diǎn)回溯，充分表明江波龍?jiān)谙乱淮?wù)器內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)儲(chǔ)備與市場(chǎng)布局早已悄然展開。這款名為SOCAMM的創(chuàng)新產(chǎn)品，正以其性能躍遷、靈活部署、能效革新三大突破，重新定義AI時(shí)代的服務(wù)器內(nèi)存架構(gòu)，并成為支撐NVIDIA Grace Blackwell等頂級(jí)平臺(tái)的關(guān)鍵力量。
性能躍升，突破AI算力瓶頸
SOCAMM的核心突破在于其顛覆性的性能表現(xiàn)：
帶寬飛躍：采用先進(jìn)LPDDR5X技術(shù)，提供128位I/O位寬，同等容量下帶寬高達(dá)傳統(tǒng)DDR5 RDIMM的2.5倍以上，徹底打通了AI訓(xùn)練與推理中的數(shù)據(jù)傳輸瓶頸。
延遲銳減：通過創(chuàng)新性地集成存儲(chǔ)控制器與內(nèi)存單元，顯著縮短數(shù)據(jù)路徑，延遲降低約20%，為實(shí)時(shí)性要求極高的數(shù)據(jù)處理場(chǎng)景提供關(guān)鍵支撐。
能效革新：得益于LPDDR5X的低電壓特性（1.1V），功耗僅為標(biāo)準(zhǔn)DDR5 RDIMM的三分之一，大幅降低數(shù)據(jù)中心能耗，為液冷系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)開辟新空間。
創(chuàng)新設(shè)計(jì)，重塑內(nèi)存新形態(tài)
SOCAMM的領(lǐng)先性深植于其底層技術(shù)創(chuàng)新：
模塊化緊湊設(shè)計(jì)：僅14×90mm的尺寸（標(biāo)準(zhǔn)RDIMM的三分之一）支持高密度部署。獨(dú)特的“長(zhǎng)方形模塊+螺絲固定”設(shè)計(jì)，使其更靠近CPU布局，優(yōu)化散熱路徑，同時(shí)支持內(nèi)存模塊的便捷更換與升級(jí)，顯著提升系統(tǒng)靈活性與可維護(hù)性。
4-N-4 HDI疊構(gòu)突破：內(nèi)存模塊PCB首創(chuàng)4-N-4 HDI疊構(gòu)技術(shù)，孔密度提升超10倍。這一高難度設(shè)計(jì)突破，為SOCAMM的8×16bit多通道架構(gòu)提供了堅(jiān)實(shí)的物理基礎(chǔ)，結(jié)合近CPU布局，很好地解決了傳統(tǒng)RDIMM在帶寬、延遲和高溫上的痛點(diǎn)，確保信號(hào)完整性與極致性能釋放。
多場(chǎng)景賦能，驅(qū)動(dòng)AI產(chǎn)業(yè)升級(jí)
SOCAMM的卓越特性使其在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大價(jià)值：
AI服務(wù)器： 作為CPU側(cè)高性價(jià)比擴(kuò)展方案，SOCAMM通過Nvlink-C2C直連CPU，提供大容量（單模塊達(dá)128GB）、中等帶寬存儲(chǔ)空間，與HBM形成完美互補(bǔ)。其強(qiáng)化學(xué)習(xí)動(dòng)態(tài)調(diào)度算法持續(xù)優(yōu)化訓(xùn)練/推理性能，釋放更多AI潛能。
綠色數(shù)據(jù)中心：極致能效（功耗僅DDR5 RDIMM的1/3）與高帶寬特性，結(jié)合液冷技術(shù)，助力數(shù)據(jù)中心PUE（能效比）優(yōu)化，響應(yīng)全球節(jié)能減排趨勢(shì)。
邊緣計(jì)算： 在智能駕駛、工業(yè)邊緣等場(chǎng)景，SOCAMM的小尺寸、大容量、超低功耗（降低超75%）及獨(dú)立支撐本地AI推理能力至關(guān)重要。其模塊化設(shè)計(jì)支持現(xiàn)場(chǎng)快速更換，大幅降低邊緣復(fù)雜環(huán)境的運(yùn)維成本。
重塑市場(chǎng)格局，未來增長(zhǎng)可期
隨著AI服務(wù)器能耗激增，SOCAMM的LPDDR5X基礎(chǔ)帶來的功耗優(yōu)勢(shì)（同容量?jī)H1/3）、速率優(yōu)勢(shì)（性能提升33%）以及支持更高通道數(shù)的連接形態(tài)，使其在高速率、高信號(hào)完整性要求的未來競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)制高點(diǎn)。
關(guān)鍵指標(biāo)
SOCAMM
DDR5 RDIMM
提升/優(yōu)勢(shì)
存儲(chǔ)介質(zhì)/電壓
LPDDR5X / 1.05V
DDR5 / 1.1V
功耗基礎(chǔ)更低
容量
Up to 256GB
Up to 128GB
提升100%
性能(速率)
8533Mbps
6400Mbps
提升約33%
尺寸
90mm×14mm
133.35×31.25mm
減小約70%
部署密度
極高
受限
優(yōu)化空間利用
今年，產(chǎn)業(yè)巨頭們已聞風(fēng)而動(dòng)，美光正為英偉達(dá)GB200/NVL平臺(tái)量產(chǎn)SOCAMM；三星、SK海力士紛紛加入戰(zhàn)局；戴爾、聯(lián)想等ODM廠商已啟動(dòng)基于SOCAMM的服務(wù)器生產(chǎn)。憑借僅為HBM 1/4的成本優(yōu)勢(shì)，SOCAMM在AI推理與邊緣計(jì)算領(lǐng)域的性價(jià)比定位異常清晰。據(jù)規(guī)劃，2025年僅美光產(chǎn)能即達(dá)80萬模塊，2026年三星/SK海力士將全面量產(chǎn)，第二代SOCAMM更將帶寬推至驚人的400GB/s。
從江波龍與客戶合作點(diǎn)亮SOCAMM產(chǎn)品的時(shí)間線可見，其在該領(lǐng)域的深耕布局已結(jié)出碩果。這款融合了極致性能、革命性能效與靈活部署優(yōu)勢(shì)的內(nèi)存解決方案，正迅速成為驅(qū)動(dòng)AI算力平臺(tái)的核心引擎。隨著全球產(chǎn)業(yè)鏈的加速響應(yīng)、產(chǎn)能的快速爬坡以及第二代技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，SOCAMM所代表的高效能、大帶寬內(nèi)存新范式，不僅將滿足AI算力爆發(fā)式增長(zhǎng)對(duì)內(nèi)存架構(gòu)的嚴(yán)苛要求，更將在未來3-5年撬動(dòng)一個(gè)潛力巨大的增量市場(chǎng)。
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